一种晶圆间金属层互联工艺
基本信息
| 申请号 | CN201810201441.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN108511473B | 公开（公告）日 | 2021-04-20 |
| 申请公布号 | CN108511473B | 申请公布日 | 2021-04-20 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 吴超 | 申请（专利权）人 | 佛山市海森特集成电路有限公司 |
| 代理机构 | 深圳市中科创为专利代理有限公司 | 代理人 | 谭雪婷 |
| 地址 | 528200广东省佛山市南海区狮山镇软件园桃园路南海产业智库城一期B座B604室（住所申报） | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请一种金属层互连工艺，涉及传感器的制备领域，通过在互连线的制备工艺时，直接刻蚀器件晶圆至底部金属层上方的介质层，以形成互连凹槽，并基于该互连凹槽继续刻蚀其下方的薄膜至逻辑晶圆的顶部金属层的保护层，形成互连通孔后，同时去除互连通孔和互联凹槽底部的薄膜，以将上述的底部金属层和顶部金属层暴露，进而形成连接上述器件晶圆和逻辑晶圆的互连线，相较于传统制备互连线的工艺，本申请请求保护的技术方案能极大简化工艺步骤，进而大大降低工艺成本，便于大规模的生产和应用。 |
