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具有纳米材料的导电箔及其制作方法，及电容器封装结构

基本信息

申请号 CN201610911297.6 申请日 -
公开（公告）号 CN107967992A 公开（公告）日 2018-04-27
申请公布号 CN107967992A 申请公布日 2018-04-27
分类号 H01G4/008;H01G4/32;B82Y30/00 分类 基本电气元件;
发明人 钱明谷;梁名琮 申请（专利权）人 钰邦电子（无锡）有限公司
代理机构 北京康信知识产权代理有限责任公司 代理人 钰邦电子（无锡）有限公司
地址 214106 江苏省无锡市锡山经济开发区联福路1201号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开一种具有纳米材料的导电箔及其制作方法，以及一种使用具有纳米材料的导电箔的卷绕型电容器封装结构。具有纳米材料的导电箔包括一金属基层结构以及一复合式纳米材料结构。复合式纳米材料结构设置在金属基层结构上。复合式纳米材料结构由一石墨材料所制成，石墨材料的其中一部分通过一种导入还原气体的氧化还原法以转化成一石墨烯层，石墨材料的其余部分形成一设置在金属基层结构与石墨烯层之间的石墨层，且复合式纳米材料结构由石墨层以及石墨烯层所构成。借此，以降低导电箔的阻抗并提升使用具有纳米材料的导电箔的卷绕型电容器封装结构的整体电气性能。