阶梯阵列式高压发光管及其制备方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

阶梯阵列式高压发光管及其制备方法

基本信息

申请号	CN201010584401.8	申请日	-
公开（公告）号	CN102130107B	公开（公告）日	2013-01-09
申请公布号	CN102130107B	申请公布日	2013-01-09
分类号	H01L25/075(2006.01)I;H01L33/40(2010.01)I;H01L33/48(2010.01)I;H01L33/62(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I	分类	基本电气元件;
发明人	杜国同;梁红伟;彭晖;郭文平;闫春辉	申请（专利权）人	亚威朗光电（中国）有限公司
代理机构	长春吉大专利代理有限责任公司	代理人	吉林大学;大连理工大学;亚威朗光电（中国）有限公司
地址	130012 吉林省长春市朝阳区前进大街2699号
法律状态	-

摘要

本发明属于半导体发光器件及其制备技术领域，特别是涉及一类GaN基阵列式高压发光管及其制备方法。器件由支撑衬底1、支撑衬底1上的焊片2和焊片2上面的单元管芯3构成，其特征在于：单元管芯3是垂直结构，其上电极31为条形，下电极32覆盖全部单元管芯3的下面；支撑衬底1是一维方向的阶梯形结构，在每个台阶上有金属化薄膜11；支撑衬底1的每个台阶上有一个单元管芯3，通过焊片2将单元管芯3焊接固定在支撑衬底1上，同时将上面的一个单元管芯的下电极32焊接在下面一个单元管芯的上电极31上，多个单元管芯串联焊接组成阶梯阵列式高压发光管。本发明克服正装结构散热不好，侨接电极制备工艺复杂的缺点，进一步拓展高压发光管应用范围。