高电压发光二极管
基本信息
申请号 | CN201010586140.3 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN102543974A | 公开(公告)日 | 2012-07-04 |
申请公布号 | CN102543974A | 申请公布日 | 2012-07-04 |
分类号 | H01L25/075(2006.01)I;H01L33/62(2010.01)I;H01L33/44(2010.01)I;H01L33/42(2010.01)I;H01L33/20(2010.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
发明人 | 彭晖;闫春辉;郭文平;柯志杰 | 申请(专利权)人 | 亚威朗光电(中国)有限公司 |
代理机构 | - | 代理人 | - |
地址 | 314305 浙江省海盐县海盐经济开发区大桥新区银滩路1号 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 一种高电压发光二极管,包括:依次形成在生长衬底上的外延层、透明电极和钝化层,以及连接电极。外延层包括依次形成的N-类型限制层、活化层和P-类型限制层;连接电极包括N-打线焊盘、P-打线焊盘和条形电极。透明电极覆盖P-类型限制层。刻蚀外延层直至生长衬底,形成至少两个发光二极管单元。每个发光二极管单元形成至少一个半导体外延层平台,外延层平台的底面露出N-类型限制层。在半导体外延层平台底面和透明电极上方的钝化层的预定位置形成多个窗口;条形电极通过窗口形成在一个发光二极管单元的N-类型限制层上,并与预定的邻近的发光二极管单元的P-类型限制层电连接。条形电极把N-打线焊盘、多个发光二极管单元和P-打线焊盘以串联的方式形成电连接。 |
