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非矩形发光器件

基本信息

申请号 CN201010258726.7 申请日 -
公开（公告）号 CN102376834A 公开（公告）日 2012-03-14
申请公布号 CN102376834A 申请公布日 2012-03-14
分类号 H01L33/20(2010.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 闫春辉;张剑平;彭晖;郭文平;赵方海;柯志杰;马欣荣 申请（专利权）人 亚威朗光电（中国）有限公司
代理机构 - 代理人 -
地址 314305 浙江省海盐县海盐经济开发区大桥新区银滩路1号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明的高出光效率的芯片，包括外延生长衬底、半导体外延层、电极；其中，半导体外延层包括N-类型限制层、发光层和P-类型限制层；电极包括N-电极和P-电极；半导体外延层形成在外延生长衬底上，N-电极和P-电极分别形成在N-类型限制层和P-类型限制层上。芯片的顶视形状是非正方形或非矩形，包括，三角形、四边形、五边形、六边形、七边形，和八边形。四边形包括，平行四边形。一个实施例：平行四边形的芯片的相邻的两边的长度的比例等于1。芯片的侧面的形状是非矩形，芯片的侧面的形状是从一组形状中选出，该组形状包括梯形和倒梯形。