发光二极管
基本信息
| 申请号 | CN201010242298.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN102347416A | 公开（公告）日 | 2012-02-08 |
| 申请公布号 | CN102347416A | 申请公布日 | 2012-02-08 |
| 分类号 | H01L33/44(2010.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 彭晖;闫春辉 | 申请（专利权）人 | 亚威朗光电（中国）有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 314305 浙江省海盐县海盐经济开发区大桥新区银滩路1号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开的发光效率较高的LED发光二极管包括：透明的生长衬底、半导体外延层、透明的出光层、电极。其中，半导体外延层包括，N-类型限制层、活化层、P-类型限制层：N-类型限制层形成在生长衬底的主表面上，活化层形成在N-类型限制层上，P-类型限制层形成在活化层上。其特征在于：(1)透明的出光层形成在透明的生长衬底和半导体外延层的侧面；(2)出光层的侧表面形成微结构，提高出光效率，出光层侧表面的微结构的顶视形状是三角形或矩形或圆弧形或不规则形状；(3)出光层的折射率介于空气与透明的生长衬底和半导体外延层之间。 |
