一种InAlGaN超晶格结构及具有其的发光二极管芯片
基本信息
| 申请号 | CN202022398654.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN214280003U | 公开（公告）日 | 2021-09-24 |
| 申请公布号 | CN214280003U | 申请公布日 | 2021-09-24 |
| 分类号 | H01L33/32（2010.01）I;H01L33/06（2010.01）I;H01L33/02（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 孟锡俊;崔志强;贾晓龙 | 申请（专利权）人 | 山西中科潞安紫外光电科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京和信华成知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 张宏伟 |
| 地址 | 046000山西省长治市高新区漳泽新型工业园区 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型涉及一种InAlGaN超晶格结构及具有其的发光二极管芯片，该InAlGaN超晶格结构为多周期循环结构，每一个周期都包括InGaN阱层、位于所述InGaN阱层上的InAlGaN盖层、位于所述InAlGaN盖层上的GaN盖层和位于所述GaN盖层上的n型InAlGaN垒层。该结构的InAlGaN超晶格结构为低温InAlGaN超晶格结构，其能有效地缓解晶体中的应力，抑制线性位错的延伸，从而降低核心区域量子阱垒层的缺陷密度，提高量子阱质量，进而提高紫外GaN基发光二极管的光效和可靠性。 |
