一种氮化铝衬底模板的制作方法
基本信息
| 申请号 | CN202110701036.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113540295A | 公开（公告）日 | 2021-10-22 |
| 申请公布号 | CN113540295A | 申请公布日 | 2021-10-22 |
| 分类号 | H01L33/00（2010.01）I;H01L21/02（2006.01）I;H01L33/20（2010.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 贾晓龙;王晓东;刘乃鑫;闫建昌;李晋闽 | 申请（专利权）人 | 山西中科潞安紫外光电科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京和信华成知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 郝亮 |
| 地址 | 047500山西省长治市高新区漳泽新型工业园区 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种氮化铝衬底模板的制作方法，包括以下步骤：（1）、在衬底上溅射一层氮化铝溅射层；（2）、将溅射有氮化铝溅射层的衬底放入MOCVD炉内，在氮化铝溅射层上生长第一低温氮化铝层；（3）、在MOCVD炉内，对第一低温氮化铝层的表面进行高温蚀刻，以在第一低温氮化铝层的表面刻蚀出分布均匀且大小一致的孔洞；（4）、在MOCVD炉内，继续在高温蚀刻后的第一低温氮化铝层上生长第二低温氮化铝层。其能消除氮化铝衬底模板表面的裂纹，提升UVC‑LED各项光电参数及芯片可靠性，并且，其可以直接在MOCVD炉内进行，制造成本低，可以应用于大批量快速生产。 |
