一种氮化铝模板的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110659364.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113488564A | 公开（公告）日 | 2021-10-08 |
| 申请公布号 | CN113488564A | 申请公布日 | 2021-10-08 |
| 分类号 | H01L33/00（2010.01）I;H01L21/324（2006.01）I;H01L21/02（2006.01）I;H01L33/12（2010.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 徐广源;蒋国文;樊怡翔;白城镇;常煜鹏 | 申请（专利权）人 | 山西中科潞安紫外光电科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京和信华成知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 郝亮 |
| 地址 | 046000山西省长治市高新区漳泽新型工业园区 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种氮化铝模板的制备方法，其包括以下步骤：（1）、在衬底的表面上溅射10～1000nm厚的氮化铝层；（2）、将表面溅射有氮化铝层的衬底进行高温退火处理；（3）、将经过高温退火处理后的表面溅射有氮化铝的衬底进行深冷处理；（4）、将深冷处理后的表面溅射有氮化铝的衬底升温至室温；（5）、将升温至室温的表面溅射有氮化铝的衬底进行低温退火处理；（6）、重复循环上述步骤（3）‑步骤（5）两到六次，得到最终的氮化铝模板。其可有效优化AlN和蓝宝石界面的应力状态，改善界面的结合性能，减小AlN的晶格应变，提高用此模板生长不同组分AlGaN的表面形貌和晶体质量。 |
