一种氮化铝薄膜的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110696371.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113488565A | 公开（公告）日 | 2021-10-08 |
| 申请公布号 | CN113488565A | 申请公布日 | 2021-10-08 |
| 分类号 | H01L33/00（2010.01）I;H01L21/02（2006.01）I;H01L33/12（2010.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 蒋国文;徐广源;樊怡翔;常煜鹏 | 申请（专利权）人 | 山西中科潞安紫外光电科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京和信华成知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 郝亮 |
| 地址 | 046000山西省长治市高新区漳泽新型工业园区 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种氮化铝薄膜的制备方法，包括以下步骤：（1）、在衬底上溅射一层氮化铝缓冲层；（2）、将溅射有氮化铝缓冲层的衬底放入MOCVD炉中，在所述氮化铝缓冲层上外延生长氮化铝层或铝镓氮层；（3）、在所述氮化铝层或铝镓氮层上生长掺杂铝镓氮层；（4）、按照顺序反复进行步骤（2）和步骤（3），周期数为2～20次；（5）、对生长完成后的所述衬底进行高温退火。其通过使用MOCVD生长的氮化铝或铝镓氮层与掺杂铝镓氮层周期结构替代溅射氮化铝层，可以减小退火氮化铝薄膜的应变，从而改善制作器件的发光效率，以及阈值电压。 |
