一种倒装结构发光二极管芯片及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110700999.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113488569A | 公开（公告）日 | 2021-10-08 |
| 申请公布号 | CN113488569A | 申请公布日 | 2021-10-08 |
| 分类号 | H01L33/46（2010.01）I;H01L33/44（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 郭凯;薛建凯;张向鹏;张晓娜;尉尊康;李勇强 | 申请（专利权）人 | 山西中科潞安紫外光电科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京和信华成知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 郝亮 |
| 地址 | 047500山西省长治市高新区漳泽新型工业园区 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种倒装结构发光二极管芯片及其制备方法，所述发光二极管包括LED外延片和设置在LED外延片上的n电极欧姆接触层（1‑05）和p电极欧姆接触层（1‑06），在LED外延片的未设置n电极欧姆接触层（1‑05）和p电极欧姆接触层（1‑06）的区域上设有第一透明钝化层（1‑07），第一透明钝化层（1‑07）上刻蚀有微阵结构（3‑01），第一透明钝化层（1‑07）上沉积有高反射绝缘材料薄膜（3‑02）且高反射绝缘材料薄膜（3‑02）的厚度大于微阵结构（3‑01）的深度。其能够提高芯片的光提取效率，从而达到提升亮度的效果。 |
