一种正装紫外LED芯片
基本信息
| 申请号 | CN202022518711.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN214280004U | 公开（公告）日 | 2021-09-24 |
| 申请公布号 | CN214280004U | 申请公布日 | 2021-09-24 |
| 分类号 | H01L33/38（2010.01）I;H01L33/42（2010.01）I;H01L33/44（2010.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 杨涛 | 申请（专利权）人 | 山西中科潞安紫外光电科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京和信华成知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 张宏伟 |
| 地址 | 046000山西省长治市高新区漳泽新型工业园区 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本专利公开了一种正装紫外LED芯片，包括衬底；半导体外延层，所述半导体外延层设置在所述衬底上，包括依次设置的N型半导体材料外延层、量子阱层和P型半导体材料外延层；所述正装紫外LED芯片还包括ITO层，所述ITO层与所述半导体外延层中的P型半导体外延层接触；所述ITO层中开设有贯穿的孔洞，所述孔洞位于所述P型半导体外延层的正上方，所述孔洞的面积占ITO层覆盖的P型半导体材料面积的30％以下。本专利通过设置上述结构的孔洞使得ITO层的紫外光透过效率提升，从而提升单位芯片面积下的紫外线透光量，提升LED芯片的亮度。 |
