二维材料垂直生长的硅片反应转移装置
基本信息
| 申请号 | CN202011355450.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112490161A | 公开（公告）日 | 2021-03-12 |
| 申请公布号 | CN112490161A | 申请公布日 | 2021-03-12 |
| 分类号 | H01L21/673(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 于葛亮;康斯坦丁·诺沃舍洛夫;杨金东;孙正乾;唐阳;王杨华 | 申请（专利权）人 | 无锡墨诺半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 无锡市大为专利商标事务所（普通合伙） | 代理人 | 曹祖良;涂三民 |
| 地址 | 214174江苏省无锡市惠山经济开发区堰新路311号1号楼1023室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种二维材料垂直生长的硅片反应转移装置，包括硅片座与压盖；在所述硅片座的侧面开设有夹持凹槽，在硅片座的上端面设有呈多边形形状的硅片放置凹腔；所述压盖套在硅片座的上端，在对应硅片放置凹腔位置的压盖上开设有压盖孔，所述硅片放置凹腔的边角位于压盖孔之外。本发明结构简单、操作方便，偏于更换转移硅片，在抽真空和喷淋时，由于压盖压住硅片，硅片不会脱落。 |
