一种碳化硅外延底层的生长方法
基本信息
| 申请号 | CN202011547217.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112670165A | 公开（公告）日 | 2021-04-16 |
| 申请公布号 | CN112670165A | 申请公布日 | 2021-04-16 |
| 分类号 | H01L21/02 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 陈威佑;胡智威;蔡长祐;蔡清富 | 申请（专利权）人 | 南京百识电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 南京苏高专利商标事务所（普通合伙） | 代理人 | 方亚曼 |
| 地址 | 211805 江苏省南京市浦口区桥林街道百合路121号紫峰研创中心二期四栋205室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种碳化硅外延底层的生长方法，在成长缓冲层的过程中，堆栈一层不同碳硅比的的薄型阻障层，有效地阻挡衬底的垂直型位错往上延伸至外延层，并通过调控外延底层生长过程中的碳硅比例，进一步终止位错的成长，有效降低外延层表面微孔洞数量1～2个级数，提高外延层表面质量，在后续的三极管器件应用上，减低因表面微孔洞造成的电性不良率，进而提供器件产品的稳定度与性能表现。 |
