一种氮化镓外延底层超晶格的生长方法
基本信息
| 申请号 | CN202011547206.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112670164A | 公开（公告）日 | 2021-04-16 |
| 申请公布号 | CN112670164A | 申请公布日 | 2021-04-16 |
| 分类号 | H01L21/02;C30B29/40;C30B25/02;C30B23/02 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 蔡清富;胡智威;蔡长祐;陈威佑 | 申请（专利权）人 | 南京百识电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 南京苏高专利商标事务所（普通合伙） | 代理人 | 方亚曼 |
| 地址 | 211805 江苏省南京市浦口区桥林街道百合路121号紫峰研创中心二期四栋205室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种氮化镓外延底层超晶格的生长方法，包括提供Si(III)生长基板；在所述生长基板表面形成AlN成核层；在所述成核层上形成AlxGaN/GaNtransitionlayer缓冲层；其中x＝0％‑100％；在所述缓冲层上形成AlxGaN/GaNmulti‑SLsbufferlayer超晶格层，其中x＝0％‑100％；多次重复所述形成超晶格层的步骤，最后在所述超晶格层表面形成氮化镓层。本发明提出的超晶格生长方法，有效控制翘曲，进而提升氮化镓品质，降低缺陷，增加产品良率，提升产品价值；在生长方法中，加入不同铝含量的生长方式，更进一步有效改善翘曲，增加产品良率。 |
