一种钼承烧钵
基本信息
申请号 | CN202021000556.8 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN212457940U | 公开(公告)日 | 2021-02-02 |
申请公布号 | CN212457940U | 申请公布日 | 2021-02-02 |
分类号 | F27D5/00(2006.01)I | 分类 | 炉;窑;烘烤炉;蒸馏炉〔4〕; |
发明人 | 蒋小明 | 申请(专利权)人 | 陕西华星电子开发有限公司 |
代理机构 | 西安泛想力专利代理事务所(普通合伙) | 代理人 | 石琳丹 |
地址 | 712034陕西省西安市西咸新区秦汉新城周陵新兴产业园区天工一路东段10号-3 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本实用新型提供了一种钼承烧钵。钼承烧钵为长方体结构,长度方向的两侧面均匀开设有三排透气孔。该半导体陶瓷半导化工艺包括以下步骤:在密闭炉体中充满75%H2+25%N2的还原气体,给加热钼丝通电使其加热到1000‑1100℃;在钼承烧钵中装满待还原产品,在保证安全的前提下打开密闭炉体的一侧炉门,通过推送机构将承烧钵送进密闭炉体内的耐高温炉管中进行半导化。钼具有在高温还原气氛下不变形、耐高温、耐还原气氛不变色、不起皮,强度高的特点,使得半导体陶瓷半导化工艺中采用钼承烧钵替代Al2O3和不锈钢承烧钵,具有明显的改善工艺适应性的特点,长期来看钼承烧钵经济性更高。 |
