一种具有表面凹凸结构的陶瓷介质芯片及陶瓷电容器
基本信息
| 申请号 | CN202021492015.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN212625195U | 公开（公告）日 | 2021-02-26 |
| 申请公布号 | CN212625195U | 申请公布日 | 2021-02-26 |
| 分类号 | H01G4/12(2006.01)I;H01G4/012(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 蒋小明;姚飞;马永香;韩阿敏 | 申请（专利权）人 | 陕西华星电子开发有限公司 |
| 代理机构 | 西安泛想力专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 石琳丹 |
| 地址 | 712034陕西省西安市西咸新区秦汉新城周陵新兴产业园区天工一路东段10号-3 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型提供了一种具有表面凹凸结构的陶瓷介质芯片及陶瓷电容器，包括陶瓷介质瓷体和设置于陶瓷介质瓷体正反面的一对电极，陶瓷介质瓷体的主体为圆柱形；陶瓷介质瓷体正反面对应于一对电极的覆盖区域形成对称的凹槽，电极是通过溅射工艺在凹槽底面形成的电极镀层；凹槽底面以及电极平面的中部区域形成凸起，该凸起的侧面与凹槽底面以及电极平面相应的外围区域为圆弧过渡相接。与现有技术相比，电极是通过溅射工艺在凹槽底面形成的电极镀层，周边高防止边缘击穿，溅射掩膜可以使芯片两端电极正对，达到最大的电极正对面积，从而获得最大的电容量，电极的正对也使电场达到最均匀状态能有效的解决电极不对称造成的产品耐压不良等问题。 |
