抗静电LED芯片制备方法及其应用
基本信息
| 申请号 | CN201710521464.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109216518B | 公开（公告）日 | 2019-01-15 |
| 申请公布号 | CN109216518B | 申请公布日 | 2019-01-15 |
| 分类号 | H01L33/06(2010.01)I | 分类 | - |
| 发明人 | 杨晓隆;王怀兵;王辉 | 申请（专利权）人 | 苏州新纳晶光电有限公司 |
| 代理机构 | 南京苏科专利代理有限责任公司 | 代理人 | 苏州新纳晶光电有限公司 |
| 地址 | 215000江苏省苏州市苏州工业园区苏虹东路388号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种抗静电LED芯片，所述芯片包括一衬底，所述衬底上由下至上依次设置有第一P型层、量子阱层、N型层、量子阱层、第二P型层，所述第一P型层及第二P型层上外延生长有电容区。本发明通过增加电容区，当电压超过器件最大范围时，电容区将自动收集静电电荷，避免LED芯片或外延片受到冲击，损坏LED器件。 |
