一种蓝光LED芯片背镀DBR结构及其制备方法
基本信息
申请号 | CN201710515047.5 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN109216524A | 公开(公告)日 | 2019-01-15 |
申请公布号 | CN109216524A | 申请公布日 | 2019-01-15 |
分类号 | H01L33/46 | 分类 | 基本电气元件; |
发明人 | 吴冬雪;王怀兵;王辉 | 申请(专利权)人 | 苏州新纳晶光电有限公司 |
代理机构 | 南京苏科专利代理有限责任公司 | 代理人 | 苏州新纳晶光电有限公司 |
地址 | 215000 江苏省苏州市苏州工业园区苏虹东路388号 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明提供了一种蓝光LED芯片背镀DBR膜系结构,所述DBR膜系结构蒸镀于LED芯片背面,所述DBR膜系为20层,且所述DBR膜系为非规整型膜系,每层DBR膜系具有不同的相应中心波长。本发明的有益效果体现在:加宽了规整膜系的反射带宽,简化了全波段非规整DBR膜系结构,缩短了蒸镀制程时间。在满足了蓝光芯片对反射率的要求的同时,能有效的平衡生产效率等问题。 |
