一种LED芯片补长外延片结构
基本信息
| 申请号 | CN201821046557.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN208538896U | 公开（公告）日 | 2019-02-22 |
| 申请公布号 | CN208538896U | 申请公布日 | 2019-02-22 |
| 分类号 | H01L33/02 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 徐涛;张宇晴;王怀兵;王辉 | 申请（专利权）人 | 苏州新纳晶光电有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 215026 江苏省苏州市苏州工业园区苏虹东路388号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种LED芯片补长外延片结构，包括：依次生长在衬底层上的缓冲层、非掺杂半导体层、N型半导体层、量子阱层、载流子限制层、P型半导体层及补长层；所述补长层为Mg掺杂浓度1e+21cm‑3的GaN，其厚度为0.01～0.05nm。该实用新型通过在报废外延片表层重新生长一层高掺杂Mg的GaN补长层，使得报废外延片性能与正常外延片性能一致，从而实现了报废外延片的回收再利用，节能环保。 |
