一种LED芯片及其反射电极
基本信息
| 申请号 | CN201821046213.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN208538900U | 公开（公告）日 | 2019-02-22 |
| 申请公布号 | CN208538900U | 申请公布日 | 2019-02-22 |
| 分类号 | H01L33/38;H01L33/40 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 刘撰;杨晓隆;王怀兵;王辉 | 申请（专利权）人 | 苏州新纳晶光电有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 215026 江苏省苏州市苏州工业园区苏虹东路388号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种反射电极，包括依次制作在芯片外延片上的Cr层、Al层、Cr层、Ti层、Cr层、Ti层及Au层。本实用新型还提供了一种具有上述反射电极的LED芯片，包括依次生长在衬底层上的N型半导体层、量子阱层、P型半导体层及透明导电层，以及生长在N型半导体层上的N型电极，生长在P型半导体层上的P型电极；芯片外侧包裹有PV绝缘层。该实用新型通过在反射电极中增加了Al层，并设置多层Cr层及Ti层，第1层Cr的厚度减薄至1～2nm，而Al层具有较高反射率，芯片射入金属Pad的光有很大一部分是通过Al层再反射回芯片内部，并通过DBR再次反射或从其他角度射出芯片，芯片亮度可提高5％。 |
