一种提高LED波长命中率的处理方法
基本信息
| 申请号 | CN201710515046.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109216517B | 公开（公告）日 | 2019-01-15 |
| 申请公布号 | CN109216517B | 申请公布日 | 2019-01-15 |
| 分类号 | H01L33/04(2010.01)I;H01L21/66(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 蔡金;王怀兵;王辉 | 申请（专利权）人 | 苏州新纳晶光电有限公司 |
| 代理机构 | 南京苏科专利代理有限责任公司 | 代理人 | 苏州新纳晶光电有限公司 |
| 地址 | 215000江苏省苏州市苏州工业园区苏虹东路388号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种提高LED波长命中率的外延片生长方法，包括如下步骤：将衬底放入MOCVD设备进行外延片生长，在多量子阱生长过程中进行通过光致发光系统进行波长的采集检测，根据采集的波长进行成分比例的不断调节直至达到需要的波长。本发明的有益效果体现在：在外延生长过程中实时的进行波长的收集，以及时进行波长的调整，从而保证波长的命中率，提高产品良品率。 |
