VDMOS器件
基本信息
| 申请号 | CN201910261385.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110047930A | 公开（公告）日 | 2019-07-23 |
| 申请公布号 | CN110047930A | 申请公布日 | 2019-07-23 |
| 分类号 | H01L29/78;H01L29/06 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 马彪 | 申请（专利权）人 | 芯兴（北京）半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 芯兴（北京）半导体科技有限公司 |
| 地址 | 101300 北京市顺义区中关村科技园区顺义园临空二路1号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种VDMOS器件，在第一导电类型的半导体衬底上具有第一导电类型的外延层，外延层中具有第二导电类型的沟道区及位于沟道区中的源区；在所述沟道区之间，还具有第一导电类型的注入区；在所述第一导电类型的外延表面，还具有栅氧化层及所述VDMOS器件的栅极；所述的栅极上方还具有氧化层，所述氧化层整体覆盖在半导体衬底表面，将栅极包裹；接触孔穿过氧化层及下方的源区，底部位于沟道区中，将源区引出；所述的沟道区中，还具有第二导电类型的注入区，所述第二导电类型的注入区从源区表面向下，底部超过沟道区位于外延层中；所述第二导电类型的注入区，横向上不超过源区。 |
