金属围坝的压膜方法以及由此制得的金属围坝和陶瓷基板
基本信息
| 申请号 | CN202110337264.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113192846A | 公开（公告）日 | 2021-07-30 |
| 申请公布号 | CN113192846A | 申请公布日 | 2021-07-30 |
| 分类号 | H01L21/48（2006.01）I;H01L23/13（2006.01）I;H01L23/15（2006.01）I;B32B37/06（2006.01）I;B32B37/08（2006.01）I;B32B37/10（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王军;罗玉杰;于正国 | 申请（专利权）人 | 赛创电气（铜陵）有限公司 |
| 代理机构 | 铜陵市嘉同知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 吴晨亮 |
| 地址 | 244000安徽省铜陵市铜陵经济技术开发区天门山北道3129号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了金属围坝的压膜方法及由此制得的金属围坝和陶瓷基板，包括以下步骤：压膜层数为三层以上，第一层膜双面热压，第一层膜之外的膜分别进行单面冷压，形成至少三层以上的干膜。本发明的有益效果是通过对压膜工艺的改进，采用热压+冷压的方式可以实现三层以上压膜，干膜表面平整，无褶皱异常。打破了现有工艺对压膜层数限制的束缚。 |
