金属叠层结构、芯片及其制造、焊接方法
基本信息
| 申请号 | CN202110655319.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113394186A | 公开（公告）日 | 2021-09-14 |
| 申请公布号 | CN113394186A | 申请公布日 | 2021-09-14 |
| 分类号 | H01L23/488（2006.01）I;H01L21/603（2006.01）I;B23K20/02（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 吴鹏;罗玉杰;于正国 | 申请（专利权）人 | 赛创电气（铜陵）有限公司 |
| 代理机构 | 铜陵市嘉同知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 吴晨亮 |
| 地址 | 244000安徽省铜陵市铜陵经济技术开发区天门山北道3129号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了金属叠层结构、芯片及其制造、焊接方法，金属叠层结构：包括八对AuSn叠层和底部Au层，其中Sn厚度为17000A，Au厚度为23050A‑25600A，AuSn厚度比为1.355882‑1.505882，Au质量百分比为78.2108wt%‑79.9459 wt%。本发明的有益效果是通过调整金属叠层的叠层数、AuSn比例，实现了低于340°C的共晶焊接温度，并且能够实现芯片完全共晶。 |
