一种以硅为牺牲层的薄膜体声波谐振器制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201810722065.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN108900173A | 公开（公告）日 | 2018-11-27 |
| 申请公布号 | CN108900173A | 申请公布日 | 2018-11-27 |
| 分类号 | H03H9/17 | 分类 | 基本电子电路; |
| 发明人 | 张树民;汤亮;陈海龙;王国浩;汪泉 | 申请（专利权）人 | 杭州左蓝微电子技术有限公司 |
| 代理机构 | 北京中知法苑知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 杭州左蓝微电子技术有限公司 |
| 地址 | 310018 浙江省杭州市杭州经济技术开发区白杨街道6号大街452号2幢B072号房 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提出一种以硅为牺牲层的薄膜体声波谐振器制备方法，具体包括如下步骤：图形化衬底硅片，在所述衬底硅片的第一表面形成凹陷区域和凸起区域；制备二氧化硅覆盖层，覆盖所述衬底硅片的第一表面；平整化所述衬底硅片的第一表面，露出所述凸起区域；在所述凸起区域的上表面制备压电三明治结构；蚀刻所述凸起区域，形成空气隙。本发明采用二氧化硅作为器件的支撑结构，二氧化硅作为绝缘材料，在射频下损耗较小，因此本发明可以选择高阻硅片也可以选择普通硅片，在成本上能够降低；本发明的压电三明治结构生长于衬底硅片本身的单晶硅上，因此晶格匹配较好，有利于生长性能更好的下电极和压电薄膜，有利于改善薄膜体声波谐振器器件性能。 |
