一种能够抑制横向模式的声表面波器件及其制作方法
基本信息
| 申请号 | CN202111093430.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113839642A | 公开（公告）日 | 2021-12-24 |
| 申请公布号 | CN113839642A | 申请公布日 | 2021-12-24 |
| 分类号 | H03H9/02（2006.01）I;H03H3/02（2006.01）I | 分类 | 基本电子电路; |
| 发明人 | 张树民 | 申请（专利权）人 | 杭州左蓝微电子技术有限公司 |
| 代理机构 | 重庆中之信知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 梁欣 |
| 地址 | 310000浙江省杭州市下城区绍兴路398号国投大厦1420室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种能够抑制横向模式的声表面波器件，包括设置在压电基板上的叉指电极，所述叉指电极的边缘区域设有与所述叉指电极主体部分材料密度不同的替换部。还公开了一种能够抑制横向模式的声表面波器件制作方法。本发明通过采用密度不同的材料替换叉指电极特定区域（如边缘区域）的电极材料来实现降低该区域的声速，无需改变指条的形状，解决了现有技术中piston结构光刻难度较大、高频下难以应用的技术问题。 |
