一种工频下高介电常数屏蔽膜及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201811084883.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109320944A | 公开（公告）日 | 2019-02-12 |
| 申请公布号 | CN109320944A | 申请公布日 | 2019-02-12 |
| 分类号 | C08L75/04;C08K7/00;C08K5/43;C08K9/10;C08K7/18;C08J5/18;H05K9/00 | 分类 | 有机高分子化合物；其制备或化学加工；以其为基料的组合物; |
| 发明人 | 刘平;王鹏;王悦;代小敏;伍发元;徐锐 | 申请（专利权）人 | 南京先磁新材料科技有限公司 |
| 代理机构 | 南昌青远专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 国网江西省电力有限公司电力科学研究院;国家电网有限公司;南京先磁新材料科技有限公司 |
| 地址 | 330006 江西省南昌市青山湖区民营科技园内民强路88号检测试验中心科研楼(第1-11层) | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种工频下高介电常数屏蔽膜及其制备方法，该屏蔽膜由热固性高分子树脂与花边形状软磁粉复合而成，并含有硫氰酸乙酯，其中硫氰酸乙酯所占的质量百分比为0.1％～10％。屏蔽膜通过将热固性高分子树脂溶解，并将软磁粉加入到溶解的高分子树脂中，搅拌均匀形成浆料，在体系中加入硫氰酸乙酯，并将混合浆料体系搅拌均匀后在离型基质上刮涂成膜、烘干固化制得。所制得的屏蔽膜在工频下具有显著较高的介电常数和正切损耗，同时直流电阻达到10的5次方欧姆以上，能够解决现有技术中容易产生电势差以及对电磁场的反射的问题。 |
