硅钙镁晶须的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN200410081355.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN1327045C | 公开（公告）日 | 2007-07-18 |
| 申请公布号 | CN1327045C | 申请公布日 | 2007-07-18 |
| 分类号 | C30B29/62(2006.01);C30B7/00(2006.01) | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 孙传敏;汪建军;钱忠良;雷斌;尹显庸 | 申请（专利权）人 | 绵阳市仁智奇微新材料有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 621000四川省绵阳市高新区路南工业园区仁智科技园 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种晶须的生产方法，特别是一种长径比大、性能稳定、生产成本低的晶须材料的制备方法。一种硅钙镁晶须的制备方法，其特征在于所述的工艺为：原矿破碎、筛分、湿法分散、提纯除杂、化学培育、脱水、干燥。本发明旨在克服现有技术的不足，提供一种原材料成本低，制造工艺简单，生产工艺条件容易控制，生产成本低的硅钙镁晶须的制备方法。 |
