一种高质量金刚石生长方法和系统
基本信息
| 申请号 | CN201911213935.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110820044B | 公开（公告）日 | 2021-10-01 |
| 申请公布号 | CN110820044B | 申请公布日 | 2021-10-01 |
| 分类号 | C30B29/04（2006.01）I;C30B25/16（2006.01）I;C30B25/20（2006.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 彭国令;黄翀 | 申请（专利权）人 | 航天科工（长沙）新材料研究院有限公司 |
| 代理机构 | 长沙楚为知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 李大为 |
| 地址 | 410205湖南省长沙市高新开发区文轩路27号麓谷钰园B8栋7楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种高质量金刚石生长方法和系统。一种高质量金刚石生长方法，包括步骤：S1、对籽晶表面进行预处理后放入生长仓中，通入氢气和氧气对籽晶进行表面刻蚀15‑60min；S2、通入碳源生长金刚石；S3、判断生长时间是否达到第一时间，若是，执行步骤S4；若否，则执行步骤S5；S4、停止通入碳源，通入氧气刻蚀10‑30min，执行步骤S2；S5、检测金刚石的表面是否出现杂质，若是，则执行杂质处理操作，10‑30min后执行步骤S2；若否，则执行步骤S3。本方法能够无需选择高质量的金刚石片作为籽晶，降低了籽晶的成本，新生长的金刚石以层状进行生长，并且金刚石表面缺陷进行修补，降低表面缺陷数量，同时并未降低金刚石的生长速率，仍然维持在高的生长速率，不低于8μm/h。 |
