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一种低应力金刚石及其制备方法

基本信息

申请号	CN202010604552.9	申请日	-
公开（公告）号	CN111778555A	公开（公告）日	2020-10-16
申请公布号	CN111778555A	申请公布日	2020-10-16
分类号	C30B29/04(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I	分类	晶体生长〔3〕;
发明人	彭国令;黄翀;刘立斌	申请（专利权）人	航天科工（长沙）新材料研究院有限公司
代理机构	武汉智汇为专利代理事务所（普通合伙）	代理人	中南大学;长沙新材料产业研究院有限公司
地址	410000湖南省长沙市岳麓区麓山南路932号
法律状态	-

摘要

本发明一种低应力金刚石及其制备方法，包括如下步骤：S1：将金刚石梯度升温至1100‑2300℃，保温10min‑8h；S2：再将金刚石梯度降温至400℃以下。采用真空高温设备或等离子体设备完成低应力金刚石的制备，将密闭空间的温度梯度升高到1100℃以上的设备，真空高温设备选为真空管式炉设备，本底真空度降低小于10‑9mbar，并且采用惰性气体Ar、He保护。本方法相比现有技术而言步骤简单，方便大规模的处理成品单晶金刚石，特别适用于厚度较厚的单晶金刚石产品；采取梯度降温法，极大地避免了高温环境下对金刚石产品的内应力冲击，使得内部晶体结构逐渐重新排列，达到去应力的目的；恰当的温度控制和速率控制，在确保了金刚石产品内应力能获得有效改善的基础上，保障了处理效率，适用于工业化生产。