一种金属氧化物晶体管制作源极漏极的方法
基本信息
| 申请号 | CN201811438605.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109860062A | 公开（公告）日 | 2019-06-07 |
| 申请公布号 | CN109860062A | 申请公布日 | 2019-06-07 |
| 分类号 | H01L21/44（2006.01）I; H01L21/443（2006.01）I; H01L21/34（2006.01）I; H01L29/417（2006.01）I; H01L29/786（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 曾国兴 | 申请（专利权）人 | 华映科技（集团）股份有限公司 |
| 代理机构 | 福州元创专利商标代理有限公司 | 代理人 | 华映科技（集团）股份有限公司 |
| 地址 | 350015 福建省福州市马尾区儒江西路6号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种金属氧化物晶体管制作源极漏极的方法。首先，步骤S1、利用光罩通过包括成膜、曝光、显影、蚀刻、剥膜的工艺过程依序完成栅极电极层，栅极绝缘层，半导体层制程；其次，在进行源极与漏极电极的成形工艺时，在机台端设置一个屏蔽隔板，该屏蔽隔板的开口与源极与漏极电极的图案位置、大小相应；最后采用物理气相沉积的方式，将源极与漏极电极的材料通过屏蔽隔板的开口分别沉积在栅极绝缘层、半导体层的相应位置形成源极与漏极电极，进而形成BCE结构的TFT面板。本发明方法方法使得源极与漏极电极成膜时金属不会扩散到金属氧化物层，不损害通道，且减少工艺过程，节省成本。 |
