半导体发光器件及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201510027914.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN104733579B | 公开（公告）日 | 2018-05-08 |
| 申请公布号 | CN104733579B | 申请公布日 | 2018-05-08 |
| 分类号 | H01L33/12;H01L33/32;H01L33/00 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王冬雷;梅劲;陈刚毅 | 申请（专利权）人 | 扬州德豪润达光电有限公司 |
| 代理机构 | 广东朗乾律师事务所 | 代理人 | 杨焕军 |
| 地址 | 225002 江苏省扬州市邗江经济开发区牧羊路八号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 半导体发光器件及其制备方法，半导体发光器件包括衬底、形成于衬底上的结晶层、氮化镓缓冲层、N型氮化镓层、过渡层、多量子阱层和P型氮化镓层；还包括低温氮化镓层，低温氮化镓层形成于N型氮化镓层上，且其上形成若干凹坑；应力释放层，应力释放层的厚度小于100nm并由依次形成于低温氮化镓层上的1至K层Inx(k)Ga1‑x(k)N构成，其中，第k层Inx(k)Ga1‑x(k)N的厚度dk小于第k‑1层Inx(k‑1)Ga1‑x(k‑1)N的厚度dk‑1，且x(k)＞x(k‑1)，k＝1,…,K，K≤5；P型氮化镓层覆盖凹坑。本发明通过根据量子阱的铟的组分调整应力释放层中InGaN的层数及总厚度，使各层InGaN的铟的组分从底层至表面递增，厚度递减，达到逐步释放应力的目的。 |
