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单片集成具有晶格失配的晶体模板及其制作方法

基本信息

申请号 CN201110394410.5 申请日 -
公开（公告）号 CN102427068B 公开（公告）日 2014-06-18
申请公布号 CN102427068B 申请公布日 2014-06-18
分类号 H01L23/00(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 王庶民;宋禹忻 申请（专利权）人 扬州德豪润达光电有限公司
代理机构 上海光华专利事务所 代理人 李仪萍
地址 200050 上海市长宁区长宁路865号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供一种利用低粘滞度材料单片集成具有晶格失配的晶体模板及其制作方法，晶体模板的制作方法包括：提供具有第一晶格常数的第一晶体层；在第一晶体层上生长缓冲层；在缓冲层的熔点温度之下，在缓冲层上依序执行第二晶体层生长工艺和第一次模板层生长工艺生长第二晶体层和模板层、或者在缓冲层上直接执行第一次模板层生长工艺生长模板层；将缓冲层熔化并转化为非晶态，在高于缓冲层的玻璃化转变温度的生长温度下，在第一次模板层生长工艺中生长的模板层上执行第二次模板层生长工艺，继续生长模板层，直至模板层晶格完全弛豫。相较于现有技术，本发明具有制作简单、在同一衬底上实现多种晶格常数材料组合且位错密度低、晶体质量高等优点。