半导体发光器件及其制备方法

基本信息

申请号 CN201510027914.1 申请日 -
公开(公告)号 CN104733579A 公开(公告)日 2015-06-24
申请公布号 CN104733579A 申请公布日 2015-06-24
分类号 H01L33/12(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 王冬雷;梅劲;陈刚毅 申请(专利权)人 扬州德豪润达光电有限公司
代理机构 广东秉德律师事务所 代理人 杨焕军
地址 225002 江苏省扬州市邗江经济开发区牧羊路八号
法律状态 -

摘要

摘要 半导体发光器件及其制备方法,半导体发光器件包括衬底、形成于衬底上的结晶层、氮化镓缓冲层、N型氮化镓层、过渡层、多量子阱层和P型氮化镓层;还包括低温氮化镓层,低温氮化镓层形成于N型氮化镓层上,且其上形成若干凹坑;应力释放层,应力释放层的厚度小于100nm并由依次形成于低温氮化镓层上的1至K层Inx(k)Ga1-x(k)N构成,其中,第k层Inx(k)Ga1-x(k)N的厚度dk小于第k-1层Inx(k-1)Ga1-x(k-1)N的厚度dk-1,且x(k)>x(k-1),k=1,…,K,K≤5;P型氮化镓层覆盖凹坑。本发明通过根据量子阱的铟的组分调整应力释放层中InGaN的层数及总厚度,使各层InGaN的铟的组分从底层至表面递增,厚度递减,达到逐步释放应力的目的。