一种用于光电器件的多重量子阱结构
基本信息
| 申请号 | CN201521107595.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN205657079U | 公开（公告）日 | 2016-10-19 |
| 申请公布号 | CN205657079U | 申请公布日 | 2016-10-19 |
| 分类号 | H01L33/06(2010.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 陈铭胜;武良文;陈庆维 | 申请（专利权）人 | 扬州德豪润达光电有限公司 |
| 代理机构 | 广东朗乾律师事务所 | 代理人 | 杨焕军 |
| 地址 | 225002 江苏省扬州市邗江经济开发区牧羊路八号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型涉及一种用于光电器件的多重量子阱结构，应用于氮化镓基光电器件中，该光电器件包括由基板至表层的N型半导体层、多重量子阱层、P型电子阻挡层和P型半导体层；所述多重量子阱层是由势垒层和势阱层交叠而成，在多重量子阱层结构中，最靠近P型半导体层的势阱层铟组分的厚度小于其它势阱层，如此可补偿最靠近P型半导体层的势阱层因受电子阻挡层压电场的影响，改善带隙倾斜较其它势阱层大的问题，利用工程调整方式，以达到有效提高氮化镓基光电器件的发光纯度。 |
