一种可以提高光效的半导体发光器件
基本信息
| 申请号 | CN201420859558.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN204596827U | 公开（公告）日 | 2015-08-26 |
| 申请公布号 | CN204596827U | 申请公布日 | 2015-08-26 |
| 分类号 | H01L33/22(2010.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王冬雷;金振模;梅劲 | 申请（专利权）人 | 扬州德豪润达光电有限公司 |
| 代理机构 | 广东秉德律师事务所 | 代理人 | 杨焕军 |
| 地址 | 225002 江苏省扬州市邗江经济开发区牧羊路八号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种可以提高光效的半导体发光器件，包括：衬底，形成于所述衬底上的N型氮化镓层、发光层和P型氮化镓层；所述N型氮化镓层表面形成有若干个间隔布置的凹坑，N型氮化镓层上单位面积内分布的凹坑的面积小于10％。本实用新型在量子阱生长前通过引入有规律分布的凹坑，使得后续覆盖的P型氮化镓层能够在整个量子阱区域提供空穴载流子，从而使空穴能够均匀的扩散至更多的靠近N型氮化镓层的量子阱，提高发光效率。 |
