一种多芯片堆叠封装结构及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202010159894.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111354647B | 公开（公告）日 | 2021-12-28 |
| 申请公布号 | CN111354647B | 申请公布日 | 2021-12-28 |
| 分类号 | H01L21/48（2006.01）I;H01L23/498（2006.01）I;H01L23/544（2006.01）I;H01L23/00（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张红梅;邵雪枫 | 申请（专利权）人 | 芯创（天门）电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 武汉中鸥知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 张艳 |
| 地址 | 430070 湖北省武汉市洪山区李桥村融科智谷工业项目三期C5号楼4层3研发号01室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种多芯片堆叠封装结构及其制造方法，本发明的多芯片堆叠封装结构利用将在更边缘的焊盘设置成V字形，以达到缓解再分布层的边缘应力问题，进一步防止边缘剥离。并且在本申请中，将对准标记和多个导电柱同样设置成V字形，以实现最大程度的防应力问题。此外，只有多个导电柱的V字形朝向内，以在两层间实现应力相抵消。 |
