一种非对称高压芯片式储能器件及其制备方法和应用
基本信息
| 申请号 | CN202010184530.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111477470B | 公开（公告）日 | 2021-06-15 |
| 申请公布号 | CN111477470B | 申请公布日 | 2021-06-15 |
| 分类号 | H01G11/84（2013.01）I;H01G11/86（2013.01）I;H01G11/04（2013.01）I;H01G11/06（2013.01）I;H01G11/26（2013.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张海涛;谢岩廷;杨维清;黄海超 | 申请（专利权）人 | 四川金时科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 成都环泰专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 李斌 |
| 地址 | 610100 四川省成都市经济技术开发区（龙泉驿区）南二路2508号办公楼（栋）1-5层1号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种非对称高压芯片式储能器件及其制备方法和应用，属于储能技术领域。非对称高压芯片式储能器件的制备方法包括：将第一掩模覆盖于硅片表面并加工形成叉指电极形状的第一区域和第二区域，去除第一区域的第一掩模使硅片表面暴露出正极区域和负极区域，在硅片表面的正极区域和负极区域形成金集流体。将第二掩模分别覆盖于正极区域和负极区域，喷涂对应没有覆盖第二掩模的电极区域的电极材料，使硅片分别形成正极和负极。在硅片表面浇注电解质材料后封装制得非对称高压芯片式储能器件。本申请能够根据实际需求选用不同的电极材料形成正极和负极，然后根据计算匹配正负电极的质量比，制得具有非对称结构的非对称高压芯片式储能器件。 |
