一种高容量单晶正极材料及其制备方法
基本信息
申请号 | CN202110728006.0 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN113437289A | 公开(公告)日 | 2021-09-24 |
申请公布号 | CN113437289A | 申请公布日 | 2021-09-24 |
分类号 | H01M4/525(2010.01)I;H01M4/505(2010.01)I;H01M4/36(2006.01)I;H01M4/13915(2010.01)I;H01M4/1315(2010.01)I;H01M4/04(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
发明人 | 李晓祥;裴晓东;骆艳华;田然;鲍维东 | 申请(专利权)人 | 中钢天源股份有限公司 |
代理机构 | 安徽知问律师事务所 | 代理人 | 郭大美 |
地址 | 243000安徽省马鞍山市雨山区霍里山大道南段9号 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明公开了一种高容量单晶正极材料及其制备方法,该方法包括以下步骤:(1)准备高镍镍钴锰三元前驱体粉末a和b,a份加入钛源、锆源及锂源,混合得到混合粉体A;b份加入镁源、氟源及锂源,混合得到混合粉体B;(2)将混合粉体A加热,保温,通入氧气气氛,冷却,破碎筛分得到单晶粉末D;(3)将步骤(2)得到的单晶粉体D和步骤(1)的混合粉体B充分混合后加热,保温,通入氧气气氛,破碎过筛得到产品F。本发明实施两次结单晶法,生成的单晶内层为极高镍镍钴锰酸锂,有效提高单晶容量,外层为中高镍镍钴锰酸锂,保证材料稳定性,且内外两层分别掺杂不同元素,可有效提高单晶内部锂离子扩散速率,提高单晶正极材料的容量。 |
