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一种氮化镓基半导体光电器件的制作方法

基本信息

申请号	CN200710114784.0	申请日	-
公开（公告）号	CN100546059C	公开（公告）日	2009-09-30
申请公布号	CN100546059C	申请公布日	2009-09-30
分类号	H01L33/00(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I	分类	基本电气元件;
发明人	潘群峰;林雪娇;洪灵愿;陈文欣;吴志强	申请（专利权）人	厦门三安电子有限公司
代理机构	厦门原创专利事务所	代理人	厦门市三安光电科技有限公司
地址	361009福建省厦门市思明区吕岭路1721-1725号
法律状态	-

摘要

本发明所公开的一种氮化镓基半导体光电器件的制作方法，在n型氮化镓基半导体层上采用蒸发或者溅射的方法依次形成Ni/Au/Ti/Au金属层，用剥离或者化学蚀刻的方法形成n电极；对n电极在含有氧气的氛围中进行400～600℃热退火处理，使得n电极与n型氮化镓基半导体层形成合金，n电极中，Ni/Au/Ti金属层是欧姆接触层，而最顶层的Au金属层作为焊垫层。由于该n电极不含低熔点的Al，并且热退火处理的温度适中，可以较好地保持电极原有的金相结构，避免给后续的封装带来困扰；再者，热退火处理的温度较为适中，可以将欧姆接触层与焊垫层一同进行热处理，在保证不会造成焊垫层金属变质硬化的同时，避免接触层与焊垫层分开制作，大大简化了工艺，提高成品率和降低成本。