一种基于复合式低阻缓冲结构的薄膜LED芯片器件及其制造方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种基于复合式低阻缓冲结构的薄膜LED芯片器件及其制造方法

基本信息

申请号	CN200710115844.0	申请日	-
公开（公告）号	CN100580965C	公开（公告）日	2010-01-13
申请公布号	CN100580965C	申请公布日	2010-01-13
分类号	H01L33/00(2006.01)I	分类	基本电气元件;
发明人	陈文欣;潘群峰;林雪娇;洪灵愿;吴志强	申请（专利权）人	厦门三安电子有限公司
代理机构	厦门原创专利事务所	代理人	厦门市三安光电科技有限公司
地址	361009福建省厦门市思明区吕岭路1721-1725号
法律状态	-

摘要

一种基于复合式低阻缓冲结构的薄膜LED芯片器件及其制造方法，绝缘缓冲膜包裹于所有金属结构侧壁，填充于所有非电学连接区域，通过在连接GaN基发光器件与电极化倒装基板的所有金属凸点之间填充绝缘缓冲膜，填充厚度略低于或与金属凸点高度齐平，再通过晶片整面键合的方式将GaN基发光器件晶圆片与电极化倒装基板整面直接键合，使导电支撑厚金属层金属凸点与绝缘缓冲膜共同形成本发明的复合式低阻缓冲结构，既实现了GaN基发光器件与电极化倒装基板间的电学连接，又实现了缓冲层填充，从而降低后续激光剥离工艺的晶片破裂发生率，以提高产品良品率，且由于可以对蓝宝石衬底进行整面的剥离作业剥离后的蓝宝石衬底圆片，可被回收再利用，降低生产成本。