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一种倒梯形微结构高亮度发光二极管及其制作方法

基本信息

申请号 CN200710114785.5 申请日 -
公开（公告）号 CN100546060C 公开（公告）日 2009-09-30
申请公布号 CN100546060C 申请公布日 2009-09-30
分类号 H01L33/00(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 洪灵愿;潘群峰;林雪娇;陈文欣;吴志强 申请（专利权）人 厦门三安电子有限公司
代理机构 厦门原创专利事务所 代理人 厦门市三安光电科技有限公司
地址 361009福建省厦门市思明区吕岭路1721-1725号
法律状态 -

摘要

摘要 一种倒梯形微结构高亮度发光二极管及其制作方法，在GaAs衬底上生长发光二极管外延片由第一导电型接触电极、第一导电型欧姆接触层、第一导电型电流扩展层、第一导电型下限制层、非掺杂的有源区、第二导电型上限制层、第二导电型电流扩展层、第二导电型欧姆接触层堆叠而成；外延片中设有反光镜，反光镜依次由介质层，金属层和阻挡层层层积淀形成；永久性衬底是由基板衬底上是生长粘贴层、金属焊料层积淀在粘贴层上；金属电极淀积在永久性衬底底部；外延片以倒装方式叠置于基板衬底上并在真空下键合。在外延片中形成一种倒梯形结构，解决常规矩形结构中光的波导效应带来的光损失问题，并可大大提升取光效率。