一种应用合成分隔法激光剥离GaN基发光器件的制造方法
基本信息
| 申请号 | CN200710116356.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN100505351C | 公开（公告）日 | 2009-06-24 |
| 申请公布号 | CN100505351C | 申请公布日 | 2009-06-24 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 吴志强;林雪娇;潘群峰;洪灵愿;陈文欣 | 申请（专利权）人 | 厦门三安电子有限公司 |
| 代理机构 | 厦门原创专利事务所 | 代理人 | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 地址 | 361009福建省厦门市思明区吕岭路1721-1725号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明所公开的一种应用合成分隔法激光剥离GaN基发光器件的制造方法，采用合成分隔法分离各单元GaN基发光器件，结合干法蚀刻去除部分GaN基外延层和激光划开GaN基外延层的方法，可以保证各单元GaN基发光器件间的绝对分隔，降低激光剥离过程裂缝的产生率，又可以保护器件的性能在激光隔离过程不受破坏；在各单元GaN基发光器件间预留区域作为激光剥离牺牲区，并与单元发光器件作隔离，避免在激光剥离过程中激光束交叠照射产生的裂缝延伸并破坏其发光器件，提高激光剥离后发光器件的成品率；激光剥离牺牲区被一金属环裹绕，激光剥离后，牺牲区中的外延层残骸可以容易随金属环的蚀刻而被一并去除。 |
