一种发光二极管外延结构
基本信息
| 申请号 | CN03138762.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN100477298C | 公开（公告）日 | 2009-04-08 |
| 申请公布号 | CN100477298C | 申请公布日 | 2009-04-08 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I;H01S5/00(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 何晓光 | 申请（专利权）人 | 厦门三安电子有限公司 |
| 代理机构 | 厦门原创专利事务所 | 代理人 | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 地址 | 361009福建省厦门市思明区吕岭路1721-1725号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种发光二极管外延结构，其特征在于具有至少两套布拉格反射体，其中一套布拉格反射体反射谱覆盖发光二极管辐射光，另一套布拉格反射体在经过氧化后反射谱覆盖发光二极管辐射光。由于氧化后布拉格反射体具有很高的反射率及反射谱宽度，发光二极管出光效率得到提高。 |
