一种表面增透发光二极管
基本信息
| 申请号 | CN03138956.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN100463234C | 公开（公告）日 | 2009-02-18 |
| 申请公布号 | CN100463234C | 申请公布日 | 2009-02-18 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01) | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 何晓光;黄尊祥 | 申请（专利权）人 | 厦门三安电子有限公司 |
| 代理机构 | 厦门原创专利事务所 | 代理人 | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 地址 | 361009福建省厦门市思明区吕岭路1721－1725号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种表面增透发光二极管，其特征是在常规结构的窗口层上有一层或多层在外延过程中生长的表面增透层，经过化学腐蚀及氧化后形成一层或多层三氧化二铝表面增透薄膜；在表面增透层的上方可有保护层，表面增透层选自铝镓砷层或砷化铝层，保护层选自砷化镓层或镓铟磷层，保护层在工艺之后去除；采用金属有机源化学气象沉积(MOCVD)方法在发光二极管外延生长时一次性完成增透膜结构的生长；这样形成的有表面增透薄膜的发光二极管，其光的反射率更小，增透效果更显著。 |
