n型CVD共掺杂金刚石薄膜的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN200610023442.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN100390316C | 公开（公告）日 | 2008-05-28 |
| 申请公布号 | CN100390316C | 申请公布日 | 2008-05-28 |
| 分类号 | C23C16/22(2006.01);C23C16/52(2006.01) | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 李荣斌;徐建辉 | 申请（专利权）人 | 上海昂电实业有限公司 |
| 代理机构 | 上海交达专利事务所 | 代理人 | 王锡麟;王桂忠 |
| 地址 | 200245上海市江川路1201号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种材料技术领域的n型CVD共掺杂金刚石薄膜的制备方法。本发明以液态丙酮为碳源，固态三氧化二硼和液态二甲基二硫分别为p型硼原子和n型硫原子的掺杂源，采用微波等离子体化学气相沉积技术将p型硼原子和n型硫原子两种掺杂原子同时掺入到金刚石晶体中获得共掺杂n型CVD金刚石薄膜：首先对硅衬底进行预处理，然后置于微波加热装置中的反应室中，反应室抽真空后充入氢气，由反应室的顶部馈入碳源气体以及p型和n型掺杂源气体，在微波作用下产生氢等离子体、活性氢原子和含碳、硼、硫的活性基团，通过调节气体流量来控制反应气氛的压力和掺杂原子的浓度，得到薄膜。本发明综合提高掺杂薄膜的电导率、电子迁移率和载流子浓度。 |
