一种GaN基射频器件的封装结构
基本信息
| 申请号 | CN202110059397.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112951777A | 公开（公告）日 | 2021-06-11 |
| 申请公布号 | CN112951777A | 申请公布日 | 2021-06-11 |
| 分类号 | H01L23/367;H01L23/427 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 徐迪;史闻;江大白;谢志峰 | 申请（专利权）人 | 芯威半导体有限公司 |
| 代理机构 | 南京业腾知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 马威 |
| 地址 | 518107 广东省深圳市光明新区公明街道村第二工业区同富裕工业园7号楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了包括基板、设置在基板上GaN芯片以及与基板合围将GaN芯片密封的封装结构，所述封装结构包括封装壳体、设置在封装壳体内部顶端的散热组件以及均匀设置在封装壳体顶部的散热翅片，其中，所述封装壳体顶部两侧设置有向中心倾斜的斜面；所述散热组件包括呈框型的散热壳体，所述散热壳体的底部呈波浪状。本发明由于散热壳体的底部呈波浪状，提高与封装壳体与封装壳体空气的接触面积，提高散热效果，并且根据热空气会上浮的现象，热空气会聚集到散热壳体底部的波峰位置处，然后通过进气管进入散热管内部，散热管吸收空气热量，使得空气温度降低，冷空气发生下沉通过出气管排出，使得封装壳体内部空气自动流动。 |
