一种纳米银光阻剂复合材料及其制备银导线或电感器的方法
基本信息
| 申请号 | CN201310411235.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103488049A | 公开（公告）日 | 2014-01-01 |
| 申请公布号 | CN103488049A | 申请公布日 | 2014-01-01 |
| 分类号 | G03F7/004(2006.01)I;H01B13/00(2006.01)I;H01F41/00(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I | 分类 | 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术〔4〕; |
| 发明人 | 李伟;其他发明人请求不公开姓名 | 申请（专利权）人 | 深圳市邦得凌半导体材料有限公司 |
| 代理机构 | 广州市越秀区哲力专利商标事务所（普通合伙） | 代理人 | 任广辅;李伟;深圳市邦得凌触控显示技术有限公司 |
| 地址 | 518000 广东省深圳市南山区西丽湖渡假村职工住宅4#205 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种纳米银光阻剂复合材料及其制备银导线或电感器的方法,其中，纳米银光阻剂复合材料，由如下重量份的原料制备而成：银60-80份、高分子助剂5-20份、光固化树脂5-20份、光引发剂0.25-2份、有机溶剂10-20份。本发明所述的纳米银光阻剂复合材料，在制备电感单片的银导线时，可以替代印刷银浆，制备一种线辐宽度达到20-30um精度；边缘精度达到2um的银导线。本发明通过UV光刻及显影工艺，在铁氧体/陶瓷体基片上制备出20-40um精度的单片。再经过：叠层-层压-切割-排胶-烧结-倒角-封端-电镀-测试-编带等工艺最终可制备出Q值高并体积小的新型高精微电感器产品。 |
