一种金属凸块结构的制备方法

基本信息

申请号 CN202110751462.7 申请日 -
公开(公告)号 CN113471159A 公开(公告)日 2021-10-01
申请公布号 CN113471159A 申请公布日 2021-10-01
分类号 H01L23/48(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 杨宗铭;孙轶 申请(专利权)人 合肥颀中科技股份有限公司
代理机构 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人 胡彭年
地址 215000江苏省苏州市工业园区凤里街166号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种金属凸块结构的制备方法,包括如下步骤:提供基板;在基板的钝化层的上表面及部分焊盘的上表面形成绝缘垫高层;去除预设位置的绝缘垫高层以使剩余绝缘垫高层形成绝缘垫高块,在钝化层、绝缘垫高块及部分焊盘的上表面覆盖种子层;在种子层之上形成光阻层,然后去除预设位置的光阻层以形成向外暴露焊盘的光阻层窗格;在光阻层窗格内电镀成型金属凸块,其中,部分金属凸块成型在绝缘垫高块之上,金属凸块的顶部具有凹陷部和相对形成在凹陷部边缘的突起部。本发明实施例公开的金属凸块结构的制备方法通过绝缘垫高块的设置使金属凸块的上部形成相对的凹陷部,有效避免引脚熔融、外溢造成的相邻焊点之间短接的问题。